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| ब्रांड नाम: | SJK |
| मॉडल संख्या: | SiT9365AC -1E2-33E125.000000T |
| एमओक्यू: | 1000 पीसी |
| कीमत: | negotiable |
| पैकेजिंग विवरण: | 1000PCS/रील |
| भुगतान की शर्तें: | टी/टी |
एसएमडी 7050 लो-जिटर एमईएमएस एचसीएसएल अंतर थरथरानवाला 6 पैड के साथ समर्थन 1-220 मेगाहर्ट्ज 2.25-3.63V
विशेषताएं
1MHz से 220MHz के बीच की कोई भी आवृत्ति 6 दशमलव स्थान तक सटीक
व्यापक तापमान -40 से 105 डिग्री सेल्सियस तक होता है
0.1ps आरएमएस चरण जिटटर 12KHz से 20MHz पर
औद्योगिक और विस्तारित वाणिज्यिक तापमान सीमा
एलवीडीएस और एलवीपीईसीएल आउटपुट सिग्नलिंग प्रकार
आकार 3.2×2 के साथ।5, 5.0×3.2, 7.0×5.0 मिमी
स्वचालित माउंटिंग और रिफ्लो सोल्डरिंग
अनुप्रयोगः 10G ईथरनेट, SONET, SATA, SAS, दूरसंचार, भंडारण, सर्वर आदि
RoHS अनुपालन / पीबी मुक्त
विनिर्देश
| प्रकार | SiT9365 MEMS |
| आउटपुट प्रकार | एचसीएसएल |
| आवृत्ति सीमा | 1~220MHz |
| आपूर्ति वोल्टेज | 2.5V/2.8V/3V/3.3V/2.25~3.62V |
| आवृत्ति स्थिरता | ±10ppm~±25ppm, या निर्दिष्ट करें |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40~+85°C, -40~+105°C |
| इनपुट वोल्टेज उच्च (VIH) | 70% वीडीडी |
| इनपुट वोल्टेज कम (VIL) | 30% वीडीडी |
| इनपुट-पुल-अप प्रतिबाधा | 250KΩ μ मैक्स. (पिन1 लॉजिक हाई) |
| 2MΩ Μmin. (पिन1 लॉजिक लो) | |
| प्रारंभ समय | 3ms अधिकतम. |
| पुनः आरंभ समय | 3.8μs अधिकतम. |
| कार्य चक्र | 45~55% |
| वर्तमान खपत | 89mA अधिकतम. |
| OE अक्षम करें आपूर्ति वर्तमान | 58mA अधिकतम. |
| अंतर आउटपुट वोल्टेज | 450mV अधिकतम। |
| आउटपुट निष्क्रिय रिसाव वर्तमान | 1 μA मैक्स. |
| स्टैंडबाय करंट | 100μA अधिकतम। |
| वीओडी परिमाण परिवर्तन | 50mV |
| ऑफसेट वोल्टेज | 1.375V अधिकतम. |
| वीओएस परिमाण परिवर्तन | 50mV अधिकतम. |
| उदय/पतन का समय | 290ps अधिकतम. |
| ओई सक्षम/अक्षम समय | 3.8ns अधिकतम. |
| आरएमएस पीरियड जिटर | 1.6 पीएस अधिकतम. |
| आरएमएस पीरियड जिटर (रैंडम) | 0.32 पीएस अधिकतम. |
| भंडारण तापमान सीमा | -60~+150°C |
| पैकिंग इकाई |
3225: 3000pcs/reel 5032 / 7050: 1000pcs/reel |
आयाम [मिमी]
+86-755-88352869
rita@q-crystal.com
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| ब्रांड नाम: | SJK |
| मॉडल संख्या: | SiT9365AC -1E2-33E125.000000T |
| एमओक्यू: | 1000 पीसी |
| कीमत: | negotiable |
| पैकेजिंग विवरण: | 1000PCS/रील |
| भुगतान की शर्तें: | टी/टी |
एसएमडी 7050 लो-जिटर एमईएमएस एचसीएसएल अंतर थरथरानवाला 6 पैड के साथ समर्थन 1-220 मेगाहर्ट्ज 2.25-3.63V
विशेषताएं
1MHz से 220MHz के बीच की कोई भी आवृत्ति 6 दशमलव स्थान तक सटीक
व्यापक तापमान -40 से 105 डिग्री सेल्सियस तक होता है
0.1ps आरएमएस चरण जिटटर 12KHz से 20MHz पर
औद्योगिक और विस्तारित वाणिज्यिक तापमान सीमा
एलवीडीएस और एलवीपीईसीएल आउटपुट सिग्नलिंग प्रकार
आकार 3.2×2 के साथ।5, 5.0×3.2, 7.0×5.0 मिमी
स्वचालित माउंटिंग और रिफ्लो सोल्डरिंग
अनुप्रयोगः 10G ईथरनेट, SONET, SATA, SAS, दूरसंचार, भंडारण, सर्वर आदि
RoHS अनुपालन / पीबी मुक्त
विनिर्देश
| प्रकार | SiT9365 MEMS |
| आउटपुट प्रकार | एचसीएसएल |
| आवृत्ति सीमा | 1~220MHz |
| आपूर्ति वोल्टेज | 2.5V/2.8V/3V/3.3V/2.25~3.62V |
| आवृत्ति स्थिरता | ±10ppm~±25ppm, या निर्दिष्ट करें |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40~+85°C, -40~+105°C |
| इनपुट वोल्टेज उच्च (VIH) | 70% वीडीडी |
| इनपुट वोल्टेज कम (VIL) | 30% वीडीडी |
| इनपुट-पुल-अप प्रतिबाधा | 250KΩ μ मैक्स. (पिन1 लॉजिक हाई) |
| 2MΩ Μmin. (पिन1 लॉजिक लो) | |
| प्रारंभ समय | 3ms अधिकतम. |
| पुनः आरंभ समय | 3.8μs अधिकतम. |
| कार्य चक्र | 45~55% |
| वर्तमान खपत | 89mA अधिकतम. |
| OE अक्षम करें आपूर्ति वर्तमान | 58mA अधिकतम. |
| अंतर आउटपुट वोल्टेज | 450mV अधिकतम। |
| आउटपुट निष्क्रिय रिसाव वर्तमान | 1 μA मैक्स. |
| स्टैंडबाय करंट | 100μA अधिकतम। |
| वीओडी परिमाण परिवर्तन | 50mV |
| ऑफसेट वोल्टेज | 1.375V अधिकतम. |
| वीओएस परिमाण परिवर्तन | 50mV अधिकतम. |
| उदय/पतन का समय | 290ps अधिकतम. |
| ओई सक्षम/अक्षम समय | 3.8ns अधिकतम. |
| आरएमएस पीरियड जिटर | 1.6 पीएस अधिकतम. |
| आरएमएस पीरियड जिटर (रैंडम) | 0.32 पीएस अधिकतम. |
| भंडारण तापमान सीमा | -60~+150°C |
| पैकिंग इकाई |
3225: 3000pcs/reel 5032 / 7050: 1000pcs/reel |
आयाम [मिमी]
+86-755-88352869
rita@q-crystal.com
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